半导体板块持续狂飙，长鑫科技（简称“长鑫”）在上市首周即创下惊人市值，引发市场对其估值合理性的激烈讨论。有分析人士指出，从基本面估值来看，做空理由已相当充分，但上市初期流通盘过小对空头极为不利，盲目做空依然危险。
截至7月30日收盘，长鑫科技报52.87元，总市值约3.54万亿元人民币，折合超过5200亿美元。这一数字已达到SK海力士市值的约74%、美光科技的约62%，然而长鑫在全球DRAM市场的收入份额仅约8%。作为对比，SK海力士DRAM市场份额接近29%，美光约22%，且在HBM、先进制程、全球客户和技术积累方面均明显领先长鑫。
按照美光当前市值与DRAM收入份额粗略计算，长鑫对应合理股价约为31元；参照三星和SK海力士估值则接近20元。即便采用对长鑫最有利的参考标准，目前52.87元的股价仍相当于额外包含了超过70%的国产替代、政策支持和A股稀缺性溢价。这种溢价并非完全没有道理——中国拥有全球最大的存储芯片需求，长鑫也是国内最重要的DRAM制造商之一。只要市场持续相信国产替代推进、市场份额快速提升、技术差距缩小，长鑫就理应获得比海外存储同行更高的估值。
问题在于，当前价格已提前计入太多未来预期。长鑫2026年上半年预计归母净利润约500亿至570亿元。即便非常乐观地假设下半年完全复制上半年的利润，全年净利润达到1000亿至1140亿元，当前市值对应的市盈率依然高达31至35倍。DRAM属于高度周期性行业，价格上涨时利润可快速膨胀，价格下跌时利润同样会迅速收缩。用存储周期高景气阶段的利润年化，再给出30倍以上估值，本身已包含极为激进的假设——即存储价格不会明显回落、长鑫市场份额继续快速提高、技术差距和产品结构持续改善。
从估值角度看，做空长鑫的理由已经充分。但贸然做空同样危险。目前长鑫流通盘很小，可自由交易的股份仅占总股本很低比例，且上市前五个交易日没有涨跌幅限制，大量资金争夺少量流通筹码，容易将股价推到远高于基本面的位置。分析人士表示不会立即追空，而是等待更成熟信号出现：若恢复20%涨跌幅限制后，长鑫没有出现进一步逼空，反而冲高回落、放量滞涨，或半导体板块反弹而长鑫无法跟涨，则可能从8月4日开始小仓位尝试做空。
